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Accueil › catégories de produits › Dispositifs contre les surtensions, les surintensités et la surchauffe › TVS - Diodes › DF2B7AE,L3F
DF2B7AE,L3F

DF2B7AE,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
DF2B7AE,L3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TVS DIODE 5.5V 20V ESC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DF2B7AE,L3F Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
TVS - Diodes
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4900310 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0336/pcs
Notre prix
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DF2B7AE,L3F Description détaillée

Numéro d'article DF2B7AE,L3F
État de la pièce Active
Type Zener
Canaux unidirectionnels -
Canaux bidirectionnels 1
Tension - Inverser l'écart (Typ) 5.5V (Max)
Tension - Panne (Min) 5.8V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp 20V
Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) 4A (8/20µs)
Puissance - Impulsion de crête 80W
Protection de ligne électrique No
Applications General Purpose
Capacité @ Fréquence 8.5pF @ 1MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-79, SOD-523
Package de périphérique fournisseur ESC
Poids -
Pays d'origine -

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