DF2B7AE,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	DF2B7AE,L3F
Статус детали	Active
Тип	Zener
Однонаправленные каналы	-
Двунаправленные каналы	1
Напряжение - обратная остановка (тип)	5.5V (Max)
Напряжение - пробой (мин)	5.8V
Напряжение - Зажим (макс.) @ Ipp	20V
Ток - пиковый импульс (10/1000 мкс)	4A (8/20µs)
Мощность - пиковый импульс	80W
Защита линии электропередачи	No
Приложения	General Purpose
Емкость @ Частота	8.5pF @ 1MHz
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	SC-79, SOD-523
Пакет устройств поставщика	ESC
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DF2B12M1CT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	TVS DIODE 8VWM 18VC CST2	подробности
DF2B12M2SC	Toshiba Semiconductor and Storage	TVS DIODE 8V 18V SC2	подробности
DF2B12M2SC(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	TVS DIODE 8VWM 18VC SC2	подробности
DF2B12M2SC,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	TVS DIODE 8VWM 18VC SC2	подробности
DF2B12M4SL,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	TVS DIODE BIDIR 8V 18V SL2	подробности
DF2B18FU,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	TVS DIODE 12VWM 33VC	подробности
DF2B20M4SL,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	TVS DIODE 30VC 500MA 2XFDN	подробности
DF2B29FU,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	TVS DIODE 24VWM 47VC	подробности
DF2B36FU,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	TVS DIODE 28VWM 40VC USC	подробности
DF2B5M4CT,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	ESD DIODE BI-DIRECTIONAL	подробности