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Accueil › catégories de produits › Dispositifs contre les surtensions, les surintensités et la surchauffe › TVS - Diodes › DF2B12M1CT(TPL3)
DF2B12M1CT(TPL3)

DF2B12M1CT(TPL3) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
DF2B12M1CT(TPL3)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TVS DIODE 8VWM 18VC CST2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DF2B12M1CT(TPL3) Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
TVS - Diodes
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
314578 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.083/pcs
Notre prix
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DF2B12M1CT(TPL3) Description détaillée

Numéro d'article DF2B12M1CT(TPL3)
État de la pièce Active
Type Steering (Rail to Rail)
Canaux unidirectionnels 1
Canaux bidirectionnels -
Tension - Inverser l'écart (Typ) 8V (Max)
Tension - Panne (Min) 10V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp 18V (Typ)
Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) 1A (8/20µs)
Puissance - Impulsion de crête -
Protection de ligne électrique No
Applications General Purpose
Capacité @ Fréquence 0.3pF @ 1MHz
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOD-882
Package de périphérique fournisseur CST2
Poids -
Pays d'origine -

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