DF2B18FU,H3F

DF2B18FU,H3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
DF2B18FU,H3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TVS DIODE 12VWM 33VC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
TVS - Diodes
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
413517 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0651/pcs
Notre prix
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DF2B18FU,H3F Description détaillée

Numéro d'article DF2B18FU,H3F
État de la pièce Active
Type Steering (Rail to Rail)
Canaux unidirectionnels 1
Canaux bidirectionnels -
Tension - Inverser l'écart (Typ) 12V
Tension - Panne (Min) 16.2V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp 33V
Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) 2.5A (8/20µs)
Puissance - Impulsion de crête 80W
Protection de ligne électrique No
Applications Automotive
Capacité @ Fréquence 9pF @ 1MHz
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-76, SOD-323
Package de périphérique fournisseur USC
Poids -
Pays d'origine -

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