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STGW10M65DF2

STGW10M65DF2 - STMicroelectronics

Numéro d'article
STGW10M65DF2
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
STGW10M65DF2 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
STGW10M65DF2.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2872 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.86/pcs
Notre prix
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STGW10M65DF2 Description détaillée

Numéro d'article STGW10M65DF2
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 20A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A
Puissance - Max 115W
Échange d'énergie 120µJ (on), 270µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 28nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 19ns/91ns
Condition de test 400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 96ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247
Poids -
Pays d'origine -

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