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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › STGW10M65DF2
STGW10M65DF2

STGW10M65DF2 - STMicroelectronics

Numero di parte
STGW10M65DF2
fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
STGW10M65DF2 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
STGW10M65DF2.pdf
Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2872 pcs
Prezzo di riferimento
USD 1.86/pcs
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STGW10M65DF2 Descrizione dettagliata

Numero di parte STGW10M65DF2
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 20A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A
Potenza - Max 115W
Cambiare energia 120µJ (on), 270µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 28nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 19ns/91ns
Condizione di test 400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 96ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Peso -
Paese d'origine -

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