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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › STGW10M65DF2
STGW10M65DF2

STGW10M65DF2 - STMicroelectronics

Artikelnummer
STGW10M65DF2
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STGW10M65DF2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
STGW10M65DF2.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2872 pcs
Referenzpreis
USD 1.86/pcs
Unser Preis
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STGW10M65DF2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STGW10M65DF2
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 20A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 40A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A
Leistung max 115W
Energie wechseln 120µJ (on), 270µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 28nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 19ns/91ns
Testbedingung 400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 96ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247
Gewicht -
Ursprungsland -

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