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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › STGW15M120DF3
STGW15M120DF3

STGW15M120DF3 - STMicroelectronics

Numéro d'article
STGW15M120DF3
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
IGBT 1200V 30A 259W
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
STGW15M120DF3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1412 pcs
Prix ​​de référence
USD 7/pcs
Notre prix
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STGW15M120DF3 Description détaillée

Numéro d'article STGW15M120DF3
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 15A
Puissance - Max 259W
Échange d'énergie 550µJ (on), 850µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 226nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 26ns/122ns
Condition de test 600V, 15A, 22 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 270ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247
Poids -
Pays d'origine -

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