NSTB60BDW1T1

NSTB60BDW1T1 - ON Semiconductor

Numéro d'article
NSTB60BDW1T1
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
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1 Day
Code de date
New
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3726 pcs
Prix ​​de référence
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NSTB60BDW1T1 Description détaillée

Numéro d'article NSTB60BDW1T1
État de la pièce Obsolete
Type de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 22k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 140MHz
Puissance - Max 250mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Poids -
Pays d'origine -

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