NSTB1002DXV5T1G

NSTB1002DXV5T1G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NSTB1002DXV5T1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NSTB1002DXV5T1G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
230000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1139/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour NSTB1002DXV5T1G

NSTB1002DXV5T1G Description détaillée

Numéro d'article NSTB1002DXV5T1G
État de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA, 200mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V, 40V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 47k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 500mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-553
Package de périphérique fournisseur SOT-553
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR NSTB1002DXV5T1G