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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › NSTB60BDW1T1
NSTB60BDW1T1

NSTB60BDW1T1 - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSTB60BDW1T1
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NSTB60BDW1T1 PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4034 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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NSTB60BDW1T1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSTB60BDW1T1
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 22k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 140MHz
Leistung max 250mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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