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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados › NSTB60BDW1T1
NSTB60BDW1T1

NSTB60BDW1T1 - ON Semiconductor

Número de pieza
NSTB60BDW1T1
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3865 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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NSTB60BDW1T1 Descripción detallada

Número de pieza NSTB60BDW1T1
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 22k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 47k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición 140MHz
Potencia - Max 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Peso -
País de origen -

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