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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › NGTB30N60L2WG
NGTB30N60L2WG

NGTB30N60L2WG - ON Semiconductor

Numéro d'article
NGTB30N60L2WG
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
IGBT 600V 30A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NGTB30N60L2WG Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
7292 pcs
Prix ​​de référence
USD 3.5422/pcs
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NGTB30N60L2WG Description détaillée

Numéro d'article NGTB30N60L2WG
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 30A
Puissance - Max 225W
Échange d'énergie 310µJ (on), 1.14mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 166nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 100ns/390ns
Condition de test 300V, 30A, 30 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 70ns
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247-3
Poids -
Pays d'origine -

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