PMV30UN,215

PMV30UN,215 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
PMV30UN,215
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
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PMV30UN,215 Description détaillée

Numéro d'article PMV30UN,215
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.7A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 20V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 2A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-236AB (SOT23)
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids -
Pays d'origine -

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