PMV30UN,215 - NXP USA Inc.

Numéro d'article	PMV30UN,215
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5.7A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	460pF @ 20V
Vgs (Max)	±8V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 2A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-236AB (SOT23)
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PMV30UN	NXP	PMV30UN NXP SOT-23 New Original Stocks	Détails
PMV30UN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23	Détails
PMV30UN2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V SOT23	Détails
PMV30UN2VL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB	Détails
PMV30XN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23	Détails
PMV30XPEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V TO-236AB	Détails
PMV31XN	NXP	PMV31XN NXP SOT-23 New Original Stocks	Détails
PMV31XN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23	Détails
PMV31XN.215	PHI	PMV31XN.215 PHI SOT-23 New Original Stocks	Détails
PMV32UP,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23	Détails