PMV30XN,215

PMV30XN,215 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
PMV30XN,215
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
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PMV30XN,215 Description détaillée

Numéro d'article PMV30XN,215
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 15V
Vgs (Max) ±12V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 380mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-236AB (SOT23)
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids -
Pays d'origine -

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