PMV30UN2VL - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	PMV30UN2VL
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	655pF @ 10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	490mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-236AB
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PMV30UN	NXP	PMV30UN NXP SOT-23 New Original Stocks	Détails
PMV30UN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23	Détails
PMV30UN2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V SOT23	Détails
PMV30UN2VL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB	Détails
PMV30XN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23	Détails
PMV30XPEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V TO-236AB	Détails
PMV31XN	NXP	PMV31XN NXP SOT-23 New Original Stocks	Détails
PMV31XN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23	Détails
PMV31XN.215	PHI	PMV31XN.215 PHI SOT-23 New Original Stocks	Détails
PMV32UP,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23	Détails