PMV30UN,215

PMV30UN,215 - NXP USA Inc.

Artikelnummer
PMV30UN,215
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3896 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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PMV30UN,215 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer PMV30UN,215
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 20V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.9W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 2A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23)
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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