| Artikelnummer | PMV32UP,215 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 510mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
PMV30UN | NXP | PMV30UN NXP SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
PMV30UN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 | Einzelheiten |
|
PMV30UN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT23 | Einzelheiten |
 |
PMV30UN2VL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB | Einzelheiten |
|
PMV30XN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 | Einzelheiten |
|
PMV30XPEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V TO-236AB | Einzelheiten |
|
PMV31XN | NXP | PMV31XN NXP SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
PMV31XN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23 | Einzelheiten |
|
PMV31XN.215 | PHI | PMV31XN.215 PHI SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
PMV32UP,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 | Einzelheiten |
