APTM20HM20STG

APTM20HM20STG - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTM20HM20STG
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APTM20HM20STG Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
292 pcs
Prix ​​de référence
USD 92.8924/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour APTM20HM20STG

APTM20HM20STG Description détaillée

Numéro d'article APTM20HM20STG
État de la pièce Active
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 89A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 44.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 112nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6850pF @ 25V
Puissance - Max 357W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP4
Package de périphérique fournisseur SP4
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR APTM20HM20STG