| Numéro d'article | APTM20AM10FTG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 175A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 87.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 224nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13700pF @ 25V |
| Puissance - Max | 694W |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SP4 |
| Package de périphérique fournisseur | SP4 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM20AM04FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 | Détails |
|
APTM20AM05FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 | Détails |
|
APTM20AM05FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 | Détails |
|
APTM20AM06SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6 | Détails |
|
APTM20AM08FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 | Détails |
|
APTM20AM10FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 | Détails |
|
APTM20AM10STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 | Détails |
|
APTM20DAM04G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 372A SP6 | Détails |
 |
APTM20DAM05G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 317A SP6 | Détails |
|
APTM20DAM08TG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 208A SP4 | Détails |
