| Numéro d'article | APTM20DAM04G |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 372A |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 560nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 28900pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 186A, 10V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SP6 |
| Paquet / cas | SP6 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APTM08TAM04PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P | Détails |
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APTM08TDUM04PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P | Détails |
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APTM100A12STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W | Détails |
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APTM100A13DG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | Détails |
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APTM100A13SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | Détails |
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APTM100A13SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | Détails |
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APTM100A18FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 | Détails |
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APTM100A23SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | Détails |
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APTM100A23STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | Détails |
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APTM100A40FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 | Détails |
