| Numéro d'article | APTM20DAM08TG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 208A |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 781W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 104A, 10V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SP4 |
| Paquet / cas | SP4 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APTM20AM04FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 | Détails |
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APTM20AM05FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 | Détails |
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APTM20AM05FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 | Détails |
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APTM20AM06SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6 | Détails |
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APTM20AM08FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 | Détails |
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APTM20AM10FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 | Détails |
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APTM20AM10STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 | Détails |
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APTM20DAM04G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 372A SP6 | Détails |
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APTM20DAM05G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 317A SP6 | Détails |
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APTM20DAM08TG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 208A SP4 | Détails |
