APT50GP60BG - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT50GP60BG
État de la pièce	Not For New Designs
Type d'IGBT	PT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	190A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 50A
Puissance - Max	625W
Échange d'énergie	465µJ (on), 637µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	165nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	19ns/83ns
Condition de test	400V, 50A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-247-3
Package de périphérique fournisseur	TO-247 [B]
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT5010B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	Détails
APT5010B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	Détails
APT5010JFLL	APT	APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
APT5010JLLU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227	Détails
APT5010JLLU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT227	Détails
APT5010JN	APT	APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
APT5010JVR	APT	APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
APT5010JVRU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	Détails
APT5010JVRU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	Détails
APT5010LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A TO-264	Détails