• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - シングル › APT50GP60BG
APT50GP60BG

APT50GP60BG - Microsemi Corporation

品番
APT50GP60BG
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
IGBT 600V 100A 625W TO247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APT50GP60BG PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
32 pcs
参考価格
USD 15.17/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください APT50GP60BG

APT50GP60BG 詳細な説明

品番 APT50GP60BG
部品ステータス Not For New Designs
IGBTタイプ PT
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 600V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100A
電流 - コレクタパルス（Icm） 190A
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.7V @ 15V, 50A
電力 - 最大 625W
スイッチングエネルギー 465µJ (on), 637µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 165nC
Td（オン/オフ）@ 25℃ 19ns/83ns
テスト条件 400V, 50A, 5 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-247-3
サプライヤデバイスパッケージ TO-247 [B]
重量 -
原産国 -

関連製品 APT50GP60BG

画像 品番 メーカー 説明 見る
APT5010B2FLLG APT5010B2FLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX 詳細
APT5010B2LLG APT5010B2LLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX 詳細
APT5010JFLL APT5010JFLL APT APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks 詳細
APT5010JLLU2 APT5010JLLU2 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 詳細
APT5010JLLU3 APT5010JLLU3 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 詳細
APT5010JN APT5010JN APT APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks 詳細
APT5010JVR APT5010JVR APT APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks 詳細
APT5010JVRU2 APT5010JVRU2 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 詳細
APT5010JVRU3 APT5010JVRU3 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 詳細
APT5010LFLLG APT5010LFLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 詳細