| Número de pieza | APT50GP60BG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de IGBT | PT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 190A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| Potencia - Max | 625W |
| Conmutación de energía | 465µJ (on), 637µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 165nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 19ns/83ns |
| Condición de prueba | 400V, 50A, 5 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Detalles |
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APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Detalles |
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APT5010JFLL | APT | APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Detalles |
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APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | Detalles |
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APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | Detalles |
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APT5010JN | APT | APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Detalles |
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APT5010JVR | APT | APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Detalles |
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APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Detalles |
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APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Detalles |
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APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | Detalles |
