APT5010JVRU2 - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT5010JVRU2
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	44A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	312nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7410pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 22A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-227
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT5010B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	Détails
APT5010B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	Détails
APT5010JFLL	APT	APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
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APT5010JN	APT	APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
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APT5010JVRU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	Détails
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APT5010LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A TO-264	Détails