| Numéro d'article | APT40GP60BG |
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| État de la pièce | Not For New Designs |
| Type d'IGBT | PT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
| Puissance - Max | 543W |
| Échange d'énergie | 385µJ (on), 352µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 135nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 20ns/64ns |
| Condition de test | 400V, 40A, 5 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | Détails |
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APT4012BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | Détails |
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APT4016BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V TO-247 | Détails |
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APT4065BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD | Détails |
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APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 | Détails |
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APT40DC60HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 | Détails |
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APT40DQ100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 | Détails |
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APT40DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | Détails |
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APT40DQ120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 | Détails |
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APT40DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 | Détails |
