MII150-12A4 - IXYS

Numéro d'article	MII150-12A4
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	NPT
Configuration	Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	180A
Puissance - Max	760W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	7.5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	6.6nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Y3-DCB
Package de périphérique fournisseur	Y3-DCB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MII100-12A3	IXYS	IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA	Détails
MII145-12A3	IXYS	MOD IGBT RBSOA 1200V 160A Y4-M5	Détails
MII150-12A4	IXYS	MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB	Détails