MII150-12A4 - IXYS

Artikelnummer	MII150-12A4
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	NPT
Aufbau	Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	180A
Leistung max	760W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	7.5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce	6.6nF @ 25V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	No
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	Y3-DCB
Lieferantengerätepaket	Y3-DCB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MII100-12A3	IXYS	IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA	Einzelheiten
MII145-12A3	IXYS	MOD IGBT RBSOA 1200V 160A Y4-M5	Einzelheiten
MII150-12A4	IXYS	MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB	Einzelheiten