MII150-12A4

MII150-12A4 - IXYS

номер части
MII150-12A4
производитель
IXYS
Краткое описание
MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
MII150-12A4 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
222 pcs
Справочная цена
USD 113.82/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку MII150-12A4

MII150-12A4 Подробное описание

номер части MII150-12A4
Статус детали Active
Тип IGBT NPT
конфигурация Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 180A
Мощность - макс. 760W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 7.5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 6.6nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Y3-DCB
Пакет устройств поставщика Y3-DCB
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ MII150-12A4