MII100-12A3

MII100-12A3 - IXYS

Numéro d'article
MII100-12A3
Fabricant
IXYS
Brève description
IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
MII100-12A3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
364 pcs
Prix ​​de référence
USD 72.055/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour MII100-12A3

MII100-12A3 Description détaillée

Numéro d'article MII100-12A3
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 135A
Puissance - Max 560W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 5.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Y4-M5
Package de périphérique fournisseur Y4-M5
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR MII100-12A3