IXFT20N100P - IXYS

Numéro d'article	IXFT20N100P
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	126nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7300pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	660W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	570 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-268
Paquet / cas	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXFT100N30X3HV	IXYS	300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	Détails
IXFT10N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268	Détails
IXFT120N15P	IXYS	MOSFET N-CH 150V 120A TO-268	Détails
IXFT120N25X3HV	IXYS	250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	Détails
IXFT120N30X3HV	IXYS	300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	Détails
IXFT12N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268	Détails
IXFT12N100F	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 12A TO268	Détails
IXFT12N100Q	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 12A TO268	Détails
IXFT12N90Q	IXYS	MOSFET N-CH 900V 12A TO-268	Détails
IXFT13N100	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268	Détails