IXFT12N100F

IXFT12N100F - IXYS

Numéro d'article
IXFT12N100F
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 1KV 12A TO268
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
267 pcs
Prix ​​de référence
USD 14.64/pcs
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IXFT12N100F Description détaillée

Numéro d'article IXFT12N100F
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-268 (IXFT)
Paquet / cas TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids -
Pays d'origine -

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