IXFT13N100

IXFT13N100 - IXYS

Numéro d'article
IXFT13N100
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
New
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4116 pcs
Prix ​​de référence
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IXFT13N100 Description détaillée

Numéro d'article IXFT13N100
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12.5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-268
Paquet / cas TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids -
Pays d'origine -

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