品番 | IXFT20N100P |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1000V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 6.5V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 126nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7300pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±30V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 660W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 570 mOhm @ 10A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-268 |
パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
重量 | - |
原産国 | - |