• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFT10N100
IXFT10N100

IXFT10N100 - IXYS

品番
IXFT10N100
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFT10N100 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2115 pcs
参考価格
USD 12.6577/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください IXFT10N100

IXFT10N100 詳細な説明

品番 IXFT10N100
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 4mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 155nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4000pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 300W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.2 Ohm @ 5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-268
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
重量 -
原産国 -

関連製品 IXFT10N100

画像 品番 メーカー 説明 見る
IXFT100N30X3HV IXFT100N30X3HV IXYS 300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS 詳細
IXFT10N100 IXFT10N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 詳細
IXFT120N15P IXFT120N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 詳細
IXFT120N25X3HV IXFT120N25X3HV IXYS 250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS 詳細
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV IXYS 300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS 詳細
IXFT12N100 IXFT12N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 詳細
IXFT12N100F IXFT12N100F IXYS MOSFET N-CH 1KV 12A TO268 詳細
IXFT12N100Q IXFT12N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 詳細
IXFT12N90Q IXFT12N90Q IXYS MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 詳細
IXFT13N100 IXFT13N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268 詳細