IXFN50N120SIC Description détaillée
| Numéro d'article |
IXFN50N120SIC |
| État de la pièce |
Active |
| FET Type |
N-Channel |
| La technologie |
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain à la tension de source (Vdss) |
1200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
47A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
50 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.2V @ 2mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
100nC @ 20V |
| Vgs (Max) |
+20V, -5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
1900pF @ 1000V |
| FET Caractéristique |
- |
| Dissipation de puissance (Max) |
- |
| Température de fonctionnement |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Chassis Mount |
| Package de périphérique fournisseur |
SOT-227B |
| Paquet / cas |
SOT-227-4, miniBLOC |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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