IXFN50N120SIC

IXFN50N120SIC - IXYS

Numéro d'article
IXFN50N120SIC
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2677 pcs
Prix ​​de référence
USD 61.472/pcs
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IXFN50N120SIC Description détaillée

Numéro d'article IXFN50N120SIC
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 20V
Vgs (Max) +20V, -5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 1000V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-227B
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Poids -
Pays d'origine -

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