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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC

IXFN50N120SIC - IXYS

品番
IXFN50N120SIC
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFN50N120SIC PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2677 pcs
参考価格
USD 61.472/pcs
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IXFN50N120SIC 詳細な説明

品番 IXFN50N120SIC
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.2V @ 2mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 100nC @ 20V
Vgs（最大） +20V, -5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1900pF @ 1000V
FET機能 -
消費電力（最大） -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
重量 -
原産国 -

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