| 品番 | IXFN50N120SIC |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 47A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 50 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 2mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 100nC @ 20V |
| Vgs（最大） | +20V, -5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1900pF @ 1000V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IXFN50N120SIC | IXYS | MOSFET N-CH | 詳細 |
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IXFN50N120SK | IXYS | MOSFET N-CH | 詳細 |
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IXFN50N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B | 詳細 |
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IXFN50N80Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B | 詳細 |
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IXFN520N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 | 詳細 |
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IXFN52N100X | IXYS | MOSFET 1KV 44A ULTRA JCT SOT227 | 詳細 |
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IXFN52N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 | 詳細 |
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IXFN55N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B | 詳細 |
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IXFN55N50F | IXYS | MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B | 詳細 |
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IXFN56N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B | 詳細 |
