IXFN50N80Q2 - IXYS

Numéro d'article	IXFN50N80Q2
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	50A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13500pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-227B
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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