IPAW60R180P7SXKSA1

IPAW60R180P7SXKSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPAW60R180P7SXKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
IPAW60R180P7SXKSA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
837 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.54/pcs
Notre prix
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IPAW60R180P7SXKSA1 Description détaillée

Numéro d'article IPAW60R180P7SXKSA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 280µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1081pF @ 400V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 5.6A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO220 Full Pack
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack
Poids -
Pays d'origine -

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