IPAW60R280CEXKSA1

IPAW60R280CEXKSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPAW60R280CEXKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 600V TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
IPAW60R280CEXKSA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
30186 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.9014/pcs
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IPAW60R280CEXKSA1 Description détaillée

Numéro d'article IPAW60R280CEXKSA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 19.3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 430µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Super Junction
Dissipation de puissance (Max) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 6.5A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO220 Full Pack
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack
Poids -
Pays d'origine -

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