| Artikelnummer | IPAW60R180P7SXKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1081pF @ 400V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 26W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220 Full Pack |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
IPAW60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | Einzelheiten |
 |
IPAW60R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Einzelheiten |
|
IPAW60R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Einzelheiten |
 |
IPAW60R280P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | Einzelheiten |
|
IPAW60R280P7SXKSA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | Einzelheiten |
|
IPAW60R360P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | Einzelheiten |
|
IPAW60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO220 | Einzelheiten |
|
IPAW60R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Einzelheiten |
|
IPAW60R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Einzelheiten |
|
IPAW60R600P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | Einzelheiten |
