IPAW60R180P7SXKSA1

IPAW60R180P7SXKSA1 - Infineon Technologies

品番
IPAW60R180P7SXKSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPAW60R180P7SXKSA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IPAW60R180P7SXKSA1.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
837 pcs
参考価格
USD 2.54/pcs
私達の価格
メールで送信:[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください IPAW60R180P7SXKSA1

IPAW60R180P7SXKSA1 詳細な説明

品番 IPAW60R180P7SXKSA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 18A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 280µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 25nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1081pF @ 400V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 26W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 180 mOhm @ 5.6A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220 Full Pack
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
重量 -
原産国 -

関連製品 IPAW60R180P7SXKSA1