621G - Hammond Manufacturing

Numéro d'article	621G
État de la pièce	Obsolete
Type	Wirewound
Matériel - Noyau	-
Inductance	1mH
Tolérance	±2%
Note actuelle	51mA
Courant - Saturation	-
Blindage	Unshielded
Résistance DC (DCR)	2 Ohm
Q @ Freq	-
Fréquence - Self Resonant	50kHz
Évaluations	-
Température de fonctionnement	-
Fréquence - Test	50kHz
Caractéristiques	-
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	Radial
Package de périphérique fournisseur	-
Taille / Dimension	0.500" Dia (12.70mm)
Hauteur - Assis (Max)	0.290" (7.37mm)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
62-0063PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC	Détails
62-0095PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC	Détails
62-0136PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	Détails
62-0203PBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO	Détails
62-0209PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Détails
62-0216PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Détails
62-0239PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Détails
62-0245PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Détails
62-0253PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Détails
62-0254PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Détails