| Artikelnummer | 621G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Art | Wirewound |
| Material - Kern | - |
| Induktivität | 1mH |
| Toleranz | ±2% |
| Aktuelle Bewertung | 51mA |
| Aktuell - Sättigung | - |
| Abschirmung | Unshielded |
| Gleichstromwiderstand (DCR) | 2 Ohm |
| Q @ Freq | - |
| Frequenz - Eigenresonant | 50kHz |
| Bewertungen | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Häufigkeit - Test | 50kHz |
| Eigenschaften | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | Radial |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Größe / Dimension | 0.500" Dia (12.70mm) |
| Höhe - Sitzend (Max) | 0.290" (7.37mm) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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62-0063PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC | Einzelheiten |
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62-0095PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC | Einzelheiten |
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62-0136PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC | Einzelheiten |
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62-0203PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO | Einzelheiten |
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62-0209PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Einzelheiten |
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62-0216PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Einzelheiten |
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62-0239PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Einzelheiten |
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62-0245PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Einzelheiten |
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62-0253PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Einzelheiten |
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62-0254PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Einzelheiten |
