| Numéro d'article | DMN4020LFDE-13 |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19.1nC @ 20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 660mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Paquet / cas | 6-UDFN Exposed Pad |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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DMN4008LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8 | Détails |
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DMN4008LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8 | Détails |
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DMN4009LK3 | DIODES | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Détails |
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DMN4009LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 18A DPAK | Détails |
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DMN4010LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8 | Détails |
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DMN4010LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8 | Détails |
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DMN4015LK3 | DIODES | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Détails |
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DMN4015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK | Détails |
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DMN4020LFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6 | Détails |
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DMN4020LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 6-UDFN | Détails |
