DMN4008LFG-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMN4008LFG-13
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	14.4A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	3.3V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3537pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerDI3333-8
Paquet / cas	8-PowerWDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMN4008LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8	Détails
DMN4008LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8	Détails
DMN4009LK3	DIODES	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Détails
DMN4009LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 18A DPAK	Détails
DMN4010LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8	Détails
DMN4010LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8	Détails
DMN4015LK3	DIODES	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Détails
DMN4015LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK	Détails
DMN4020LFDE-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6	Détails
DMN4020LFDE-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 6-UDFN	Détails