DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMN4008LFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
83190 pcs
Referenzpreis
USD 0.3202/pcs
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DMN4008LFG-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMN4008LFG-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 14.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 3.3V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3537pF @ 20V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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