| Artikelnummer | DMN4020LFDE-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19.1nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 660mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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DMN4008LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8 | Einzelheiten |
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DMN4008LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8 | Einzelheiten |
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DMN4009LK3 | DIODES | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Einzelheiten |
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DMN4009LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 18A DPAK | Einzelheiten |
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DMN4010LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8 | Einzelheiten |
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DMN4010LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8 | Einzelheiten |
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DMN4015LK3 | DIODES | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Einzelheiten |
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DMN4015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK | Einzelheiten |
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DMN4020LFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6 | Einzelheiten |
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DMN4020LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 6-UDFN | Einzelheiten |
