| Número de pieza | DMN4020LFDE-13 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19.1nC @ 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 660mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Paquete / caja | 6-UDFN Exposed Pad |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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DMN4008LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8 | Detalles |
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DMN4008LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8 | Detalles |
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DMN4009LK3 | DIODES | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Detalles |
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DMN4009LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 18A DPAK | Detalles |
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DMN4010LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8 | Detalles |
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DMN4010LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8 | Detalles |
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DMN4015LK3 | DIODES | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Detalles |
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DMN4015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK | Detalles |
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DMN4020LFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6 | Detalles |
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DMN4020LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 6-UDFN | Detalles |
